[发明专利]一种直拉硅单晶的温度控制方法有效
| 申请号： | 201810514747.7 | 申请日： | 2018-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN110528067B | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 王正远;李侨;周锐;徐战军 | 申请（专利权）人： | 隆基绿能科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人： | 钟欢 |
| 地址： | 710100 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
本发明公开一种直拉硅单晶的温度控制方法，用于硅单晶等径生长过程自动调节温度，包括步骤：确定平均晶体生长速度V并输出；设定目标晶体生长速度V |
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| 搜索关键词： | 一种 直拉硅单晶 温度 控制 方法 | ||
【主权项】：
1.一种直拉硅单晶的温度控制方法，用于硅单晶等径生长过程自动调节温度，其特征在于，包括步骤：确定平均晶体生长速度V并输出；设定目标晶体生长速度VS，并计算平均晶体生长速度V和目标晶体生长速度VS的偏差ΔV；依据ΔV，确定功率设定值Pr并输出，进而调节温度。/n
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