[发明专利]一种全电极凸纹结构CMUT器件的制备方法

摘要

本发明涉及电子科学与技术的技术领域，更具体地，涉及一种全电极凸纹结构CMUT器件的制备方法，将高浓度掺杂的硅晶圆作为基底，使用表面微加工技术和电镀工艺，依次在基底上制备绝缘层、空腔、振动薄膜、凸纹结构的圆环，全覆盖于振动薄膜的顶电极、底电极极板及导线，完成全电极凸纹结构CMUT器件的制备。本发明制备的全电极凸纹结构CMUT器件，在塌陷工作模式下能有效提升输出声压从而达到增加超声波发射功率的效果；该制备方法技术成熟，适合大批量制造。该发明可用于生物医学检测、工业无损探伤等使用超声检测领域中超声换能器的加工制造，并将推进基于CMUT器件的超声探头技术的发展与应用，具备广阔的市场应用前景。

主权项

1.一种全电极凸纹结构CMUT器件的制备方法，其特征在于，所述的制备方法包括以下步骤：步骤1：使用高浓度掺杂的硅晶圆作为基底（5）制备基底层；步骤2：在步骤1中基底（5）上沉积制备绝缘层（4）；步骤3：在步骤2中的绝缘层（4）上沉积多晶硅薄膜制备牺牲层（81），并去除多余的多晶硅薄膜层，定义CMUT单元；步骤4：在步骤3制备的CMUT单元上沉积振动薄膜（1）；步骤5：去除步骤3中保留的多晶硅薄膜层（8）形成封闭的空腔（2）；步骤6：沉积用于制备CMUT单元顶电极（61）和底电极极板（62）的导电层（6）；步骤7：在振动薄膜（1）顶部的导电层（6）上制备凸纹圆环（7）；步骤8：使用光刻蚀工艺定义导电层（6），制备全覆盖于振动薄膜（1）的顶电极（61）、底电极极板（62）及导线，并去除多余导电层（6）；完成全电极凸纹结构CMUT器件的制备。