[发明专利]制造MRAM器件的方法及制造半导体芯片的方法有效
| 申请号： | 201810515747.9 | 申请日： | 2018-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN108987427B | 公开（公告）日： | 2023-04-25 |
| 发明（设计）人： | 金大植;朴正宪;高宽协 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H10B61/00 | 分类号： | H10B61/00;H10N50/01;H10N50/10;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在制造MRAM器件的方法中，第一下电极和第二下电极可以分别在衬底的第一区域和第二区域上形成。具有彼此不同的开关电流密度的第一MTJ结构和第二MTJ结构可以分别在第一下电极和第二下电极上形成。第一上电极和第二上电极可以分别在第一MTJ结构和第二MTJ结构上形成。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 mram 器件 方法 半导体 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种制造磁阻随机存取存储器件的方法，所述方法包括：分别在衬底的第一区域和第二区域中形成第一下电极和第二下电极；分别在所述第一下电极和所述第二下电极上形成第一磁隧道结结构和第二磁隧道结结构，所述第一磁隧道结结构和所述第二磁隧道结结构具有彼此不同的开关电流密度；以及分别在所述第一磁隧道结结构和所述第二磁隧道结结构上形成第一上电极和第二上电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810515747.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种柔性LED显示面板及电子设备
- 下一篇：用于制造磁性结的自组装图案方法
