[发明专利]一种钒酸铋铁电薄膜电容的制备方法在审
| 申请号： | 201810516178.X | 申请日： | 2018-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN108766959A | 公开（公告）日： | 2018-11-06 |
| 发明（设计）人： | 邱晖 | 申请（专利权）人： | 邱晖 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361021 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种钒酸铋铁电薄膜电容的制备方法。包括以下步骤：首先，利用真空蒸发制备底部Cu薄膜导电层，形成下电极；然后，采用水热法制备铁离子掺杂钒酸铋薄膜，形成薄膜电容中间铁电层，并通过改变水热参数及掺杂量，优化铁电层薄膜电学性能；最后，利用射频磁控溅射制备顶部ZnCo2O4导电层，形成上电极，从而制得钒酸铋铁电薄膜电容。本发明的钒酸铋铁电薄膜电容制备方法简单，成本低廉；钒酸铋铁电层结构可通过水热过程工艺调控，提高矫顽电场，实现铁电性能优化；钒酸铋铁电薄膜电容漏电流低，电容值高，且频率特性优良，稳定性高。 | ||
| 搜索关键词： | 钒酸铋 铁电薄膜电容 制备 铁电层 导电层 薄膜 射频磁控溅射 铁离子掺杂 薄膜电容 电学性能 工艺调控 矫顽电场 频率特性 水热法制 水热过程 铁电性能 掺杂量 漏电流 下电极 电极 电容 水热 优化 | ||
【主权项】：
1.一种钒酸铋铁电薄膜电容的制备方法，其特征在于，由Cu下电极、钒酸铋中间铁电层及ZnCo2O4上电极构成金属‑绝缘层‑导电氧化物结构薄膜电容，所述制备方法包括步骤：以Si为基底，利用真空蒸镀，真空度不低于10‑3 Pa，卷取速度为150m/min，沉积Cu薄膜层，形成底部导电层；将10‑50mol/L的NH4VO3与20‑100mol/L的Bi(NO3)3·5H2O均匀混合后，掺入5‑35mol/L的Fe(NO3)3溶液；将混合溶液与沉积了Cu层的Si基底置于反应釜中，在350℃下水热反应16h，沉积铁掺杂钒酸铋铁电薄膜；自然冷却至室温利用乙醇及去离子水清洗后，进行真空干燥；通过射频磁控溅射，沉积ZnCo2O4导电层，制备上电极；最后，在N2气中400 ℃下经2 h的退火，制备出钒酸铋铁电薄膜电容。
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