[发明专利]去气腔室以及去气方法有效
| 申请号： | 201810516484.3 | 申请日： | 2018-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN108711556B | 公开（公告）日： | 2020-06-19 |
| 发明（设计）人： | 徐刚 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王晓燕 |
| 地址： | 100176 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种去气腔室以及去气方法。去气腔室的内部设有加热装置、冷却装置和移动支撑装置；加热装置包括加热盘，加热盘中设有加热元件，且从加热盘的中心到加热盘的边缘的方向上，加热元件的排布密度逐渐增加；冷却装置与加热盘间隔一定距离相对设置；移动支撑装置构造为带动晶圆在加热盘和冷却装置之间移动，以分别对晶圆进行加热和冷却。 | ||
| 搜索关键词： | 去气腔室 以及 方法 | ||
【主权项】：
1.一种去气腔室，其中，所述去气腔室的内部设有加热装置、冷却装置和移动支撑装置；所述加热装置包括加热盘，所述加热盘中设有加热元件，且从所述加热盘的中心到所述加热盘的边缘的方向上，所述加热元件的排布密度逐渐增加；所述冷却装置与所述加热盘间隔一定距离相对设置；所述移动支撑装置构造为带动晶圆在所述加热盘和所述冷却装置之间移动，以分别对所述晶圆进行加热和冷却。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
