[发明专利]半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201810516529.7 | 申请日： | 2018-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN110534569B | 公开（公告）日： | 2023-09-22 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/8234;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其形成方法，方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底上具有鳍部，鳍部包括若干层沿半导体衬底表面法线方向重叠的第一鳍部层、以及位于相邻两层第一鳍部层之间的第二鳍部层；形成伪栅极结构和位于伪栅极结构两侧的鳍部内的第一凹槽；去除第一凹槽侧壁的部分第一鳍部层以形成第一修正鳍部层和第一鳍部凹槽；在第一鳍部凹槽内形成阻挡层，阻挡层的材料为半导体材料，所述阻挡层内具有第一离子，第一离子填充所述阻挡层材料的原子间隙；在第一凹槽内形成具有源漏离子的源漏掺杂层；形成覆盖伪栅极结构侧壁的介质层；去除伪栅极结构和伪栅极结构覆盖的第二鳍部层形成栅开口；在栅开口内形成栅极结构。所述方法提高了半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：/n提供半导体衬底，半导体衬底上具有鳍部，鳍部包括若干层沿半导体衬底表面法线方向重叠的第一鳍部层、以及位于相邻两层第一鳍部层之间的第二鳍部层；/n形成横跨鳍部的伪栅极结构，伪栅极结构覆盖鳍部的部分顶部表面和部分侧壁表面；/n在伪栅极结构两侧的鳍部内形成第一凹槽；/n去除第一凹槽侧壁的部分第一鳍部层以形成第一修正鳍部层，并且在相邻第二鳍部层之间形成第一鳍部凹槽，所述第一修正鳍部层侧壁相对于第二鳍部层侧壁凹陷；/n在第一鳍部凹槽内形成阻挡层，所述阻挡层的材料为半导体材料，所述阻挡层内具有第一离子，所述第一离子填充所述阻挡层材料的原子间隙；/n形成阻挡层后，在所述第一凹槽内形成源漏掺杂层，所述源漏掺杂层具有源漏离子；/n形成源漏掺杂层之后，在半导体衬底和鳍部上形成介质层，所述介质层覆盖所述伪栅极结构侧壁；/n去除伪栅极结构和伪栅极结构覆盖的第二鳍部层，在所述介质层内及相邻的第一修正鳍部层之间形成栅开口；/n在所述栅开口内形成栅极结构，所述栅极结构包围第一修正鳍部层。/n
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