[发明专利]图像传感器及其形成方法在审
| 申请号： | 201810516829.5 | 申请日： | 2018-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN108807438A | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 林宗德;李晓明;郭裕东;何延强;杨龙康;彭琬婷;何玉坤;黄仁德 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 223302 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种图像传感器及其形成方法，方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括图像传感器区；在所述图像传感器区中形成浅沟槽隔离凹槽；在所述浅沟槽隔离凹槽侧壁和底部形成覆盖层，所述覆盖层材料为非晶态材料；形成覆盖层后，在所述浅沟槽隔离凹槽内形成隔离层。所述覆盖层降低浅沟槽隔离凹槽暴露出的半导体衬底的表面粗糙度，改善隔离层与所述半导体衬底的表面状态，减小暗电流，提高图像传感器的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 浅沟槽隔离 衬底 图像传感器 半导体 覆盖层 图像传感器区 隔离层 表面粗糙度 非晶态材料 覆盖层材料 凹槽侧壁 表面状态 暗电流 减小 暴露 | ||
【主权项】：
1.一种图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括图像传感器区；在所述图像传感器区中形成浅沟槽隔离凹槽；在所述浅沟槽隔离凹槽侧壁和底部形成覆盖层，所述覆盖层的材料为非晶态材料；形成覆盖层后，在所述浅沟槽隔离凹槽内形成隔离层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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