[发明专利]一种应用于瞬发裂变中子铀矿测井的4H-SiC半导体中子探测器在审
| 申请号： | 201810517372.X | 申请日： | 2018-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN108459345A | 公开（公告）日： | 2018-08-28 |
| 发明（设计）人： | 魏雄;王仁波;张雪昂;瞿金辉;吴光文;黄河 | 申请（专利权）人： | 东华理工大学 |
| 主分类号： | G01T3/08 | 分类号： | G01T3/08;G01V5/06 |
| 代理公司： | 江西省专利事务所 36100 | 代理人： | 胡里程 |
| 地址： | 344000 江西*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开一种应用于瞬发裂变中子铀矿测井的4H‑SiC中子探测器，该探测器为肖特基结构，以n+型4H‑SiC晶体作为衬底，利用化学气相沉积技术在衬底的正面同质外延生长n‑型4H‑SiC外延层；利用磁控溅射技术在衬底的反面和外延层一侧分别沉积多层金属和保护层并退火处理，形成欧姆接触和肖特基接触；最后利用光刻和磁控溅射技术在肖特基接触上溅射6LiF形成中子转换层。除了具有常规的半导体中子探测器的优点外，4H‑SiC中子探测器还具有体积小、n/γ甄别容易、抗高温、耐辐照的优点。本发明是一种探测效率高、计数率高的4H‑SiC中子探测器，适合于铀矿测井这种狭小空间、高温度和强辐射的环境。 | ||
| 搜索关键词： | 中子探测器 铀矿 测井 衬底 磁控溅射技术 肖特基接触 外延层 瞬发 裂变 半导体 化学气相沉积 同质外延生长 中子转换层 多层金属 欧姆接触 探测效率 退火处理 狭小空间 保护层 常规的 计数率 抗高温 耐辐照 强辐射 体积小 肖特基 探测器 光刻 溅射 沉积 应用 | ||
【主权项】：
1.一种应用于瞬发裂变中子铀矿测井的4H‑SiC中子探测器，其特征在于：该探测器为肖特基结构，该探测器的结构从下至上依次为Au保护层(6)、Ni金属欧姆接触(5)、Ti金属(4)、n+型4H‑SiC衬底(1)、n+型缓冲层(2)、n‑型4H‑SiC外延层(3)、Ni金属肖特基接触(7)、SiO2保护层(8)、Si3N4保护层(9)、6LiF中子转换层(10)。
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