[发明专利]氧化镓MOSFET器件的制备方法在审
| 申请号： | 201810517505.3 | 申请日： | 2018-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN108615769A | 公开（公告）日： | 2018-10-02 |
| 发明（设计）人： | 吕元杰;何泽召;宋旭波;王元刚;谭鑫;周幸叶;冯志红 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/16;H01L29/423;H01L21/02 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 赵宝琴 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种氧化镓MOSFET器件的制备方法，属于半导体器件制备技术领域，包括Ga2O3外延片，Ga2O3外延片自上而下依次为沟道层、缓冲层和衬底；采用溅射或蒸发工艺在外延片表面淀积一层多晶硅，并采用高温热氧化将多晶硅转化为SiO2薄膜层；在SiO2薄膜层上均匀覆盖光刻胶，采用干法或者湿法刻蚀的方式去除源区和漏区覆盖的SiO2薄膜层，并采用高温退火或者离子注入的方式在源区和漏区制备源极和漏极；采用金属蒸发剥离的方式制备栅极；在剩余的SiO2薄膜层及制备的栅极的表面生长一层钝化层。本发明提供的氧化镓MOSFET器件的制备方法，能够解决现有技术中存在的栅下介质生长温度低而制备的MOSFET器件不可靠的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 氧化镓 多晶硅 外延片 漏区 源区 半导体器件制备 高温热氧化 外延片表面 表面生长 高温退火 金属蒸发 均匀覆盖 湿法刻蚀 蒸发工艺 钝化层 沟道层 光刻胶 缓冲层 衬底 淀积 干法 溅射 漏极 源极 去除 离子 剥离 生长 覆盖 转化 | ||
【主权项】：
1.氧化镓MOSFET器件的制备方法，其特征在于：包括Ga2O3外延片，所述Ga2O3外延片自上而下依次为沟道层、缓冲层和衬底；所述沟道层表面采用溅射或蒸发淀积一层多晶硅，采用高温热氧化将所述多晶硅转化为一层SiO2薄膜层；在所述SiO2薄膜层上均匀覆盖光刻胶，对光刻胶进行图形曝光并显影，采用刻蚀或者注入的方式进行台面隔离；采用干法或者湿法刻蚀的方式去除源区和漏区覆盖的SiO2薄膜层，并采用高温退火或者离子注入的方式在源区和漏区制备源极和漏极；采用金属蒸发剥离的方式制备栅极；在剩余的SiO2薄膜层及制备的栅极的表面生长一层钝化层。
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