[发明专利]T型栅制备方法在审
| 申请号： | 201810519181.7 | 申请日： | 2018-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN108807162A | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 范谦;倪贤锋;何伟 | 申请（专利权）人： | 苏州汉骅半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/335;H01L29/423 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种T型栅制备方法，包括：形成势垒层；在所述势垒层上形成深紫外光刻胶层,并在所述光刻胶层形成栅根凹槽；在所述栅根凹槽内和所述深紫外光刻胶层上形成金属层；在所述金属层上形成光刻胶层，并在所述光刻胶层形成栅帽图形；刻蚀未被所述栅帽图形覆盖部分的金属层；去除所述深紫外光刻胶层和栅帽图形光刻胶。上述T型栅制备方法，可以使T型栅的线宽小于100纳米同时又提高了的T型栅的制备效率。并且由于栅帽与势垒层之间不存在介质，具有较小的栅极电容，提高了半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 栅帽 制备 深紫外光刻 光刻胶层 金属层 势垒层 胶层 半导体器件 图形覆盖 栅极电容 图形光 刻蚀 去除 线宽 | ||
【主权项】：
1.一种T型栅制备方法，其特征在于，包括：形成势垒层；在所述势垒层上形成第一光刻胶层,并在所述第一光刻胶层形成栅根凹槽，其中，所述第一光刻胶层为深紫外光刻胶层；在所述栅根凹槽内和所述深紫外光刻胶层上形成金属层；在所述金属层上形成第二光刻胶层，并在所述第二光刻胶层形成栅帽图形；刻蚀未被所述栅帽图形覆盖部分的金属层；去除所述深紫外光刻胶层和栅帽图形。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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