[发明专利]差异层形成工艺和由此形成的结构有效
| 申请号： | 201810521121.9 | 申请日： | 2018-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN109585552B | 公开（公告）日： | 2022-05-10 |
| 发明（设计）人： | 柯忠廷;李志鸿;徐志安 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本文描述了形成半导体器件中的诸如接触蚀刻停止层(CESL)的差异层的方法以及通过该方法形成的结构。在实施例中，结构包括位于衬底上的有源区，位于有源区上的栅极结构和沿着栅极结构的侧壁的栅极间隔件以及差异蚀刻停止层。差异蚀刻停止层具有沿着栅极间隔件的侧壁的第一部分并且具有位于源极/漏极区的上表面上的第二部分。第一部分的第一厚度在垂直于栅极间隔件的侧壁的方向上，并且第二部分的第二厚度在垂直于源极/漏极区的上表面的方向上。第二厚度大于第一厚度。本发明实施例涉及差异层形成工艺和由此形成的结构。 | ||
| 搜索关键词： | 差异 形成 工艺 由此 结构 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：有源区，位于衬底上，所述有源区包括源极/漏极区；栅极结构，位于所述有源区上方，所述源极/漏极区邻近所述栅极结构；栅极间隔件，沿着所述栅极结构的侧壁；以及差异蚀刻停止层，具有沿着所述栅极间隔件的侧壁的第一部分并且具有位于所述源极/漏极区的上表面上方的第二部分，所述第一部分的第一厚度在垂直于所述栅极间隔件的侧壁的方向上，所述第二部分的第二厚度在垂直于所述源极/漏极区的上表面的方向上，所述第二厚度大于所述第一厚度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810521121.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体结构及其制造方法
- 下一篇：鳍式场效晶体管装置结构
- 同类专利
- 专利分类
