[发明专利]具有倾斜波导端面的光纤-硅光芯片耦合器及制备方法在审
| 申请号： | 201810521269.2 | 申请日： | 2018-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN108535807A | 公开（公告）日： | 2018-09-14 |
| 发明（设计）人： | 杨林;邵斯竹;付鑫;郑凌晨;丁建峰;张磊 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | G02B6/122 | 分类号： | G02B6/122;G02B6/13;G02B6/136;G02B6/12 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 李坤 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供一种具有倾斜波导端面的光纤‑硅光芯片耦合器，由SOI基片制备而成，包括：衬底层，上表面刻蚀有凹槽；以及波导层，设置于衬底层上，用于光的传导；包括：SiO2波导，设置于衬底层的凹槽的上方；包括：第一SiO2波导，为输入波导，其和外接光纤耦合的波导端面与光传输的方向有一倾角θ，θ＜90°；锥形SiO2波导，一侧与第一SiO2波导相连接，横截面尺寸沿着光传输的方向渐缩；第二SiO2波导，一侧与锥形SiO2波导的另一侧相连接；以及SiO2平板结构，与第二SiO2波导的另一侧相连接；支撑梁，设置于SiO2波导的两侧；以及硅纳米线波导，用于将光耦合并输出，以缓解现有技术中波导与光纤耦合时带宽受限、不利大规模应用、激光反射回光纤强度大易损坏器件等技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 波导 衬底层 光纤 光纤耦合 倾斜波导 光传输 耦合器 硅光 制备 芯片 大规模应用 波导端面 带宽受限 硅纳米线 激光反射 平板结构 输入波导 波导层 上表面 支撑梁 传导 光耦 渐缩 刻蚀 外接 输出 合并 缓解 | ||
【主权项】：
1.一种具有倾斜波导端面的光纤‑硅光芯片耦合器，由SOI基片制备而成，包括：衬底层(100)，上表面刻蚀有凹槽；以及波导层(200)，设置于衬底层(100)上，用于光的传导；包括：SiO2波导(210)，设置于衬底层(100)的凹槽的上方；包括：第一SiO2波导(211)，为输入波导，其和外接光纤耦合的波导端面与光传输的方向有一倾角θ，θ＜90°；锥形SiO2波导(212)，一侧与第一SiO2波导(211)相连接，横截面尺寸沿着光传输的方向渐缩；第二SiO2波导(213)，一侧与锥形SiO2波导(212)的另一侧相连接；以及SiO2平板结构(214)，与第二SiO2波导(213)的另一侧相连接；支撑梁(220)，设置于SiO2波导(210)的两侧；以及硅纳米线波导(230)，用于将光耦合并输出。
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