[发明专利]一种制备铜铟镓碲薄膜的方法

摘要

一种制备铜铟镓碲薄膜材料的制备方法，属于光电薄膜制备技术领域，本发明通过如下步骤得到，首先清洗玻璃基片，然后将TeO₂、Cu(NO₃)₂、In(NO₃)₃和Ga(NO₃)₃先后放入溶剂中，配制澄清透明溶液，用旋涂法在玻璃片上得到前驱体薄膜，自然晾干，放入有水合联氨的可密闭容器，使前驱体薄膜样品不与联氨接触，将装有前驱体薄膜样品的密闭容器进行加热后取出样品进行干燥，可通过增加反应次数和热处理工艺改善薄膜质量，得到铜铟镓碲光电薄膜。本发明不需要高温高真空条件，对仪器设备要求低，生产成本低，生产效率高，易于操作。所得铜铟镓碲光电薄膜有较好的连续性和均匀性，这种新工艺为制备高性能的铜铟镓碲光电薄膜提供了一种成本低、可实现工业化的生产方法。

主权项

1.一种制备铜铟镓碲薄膜的方法，包括如下顺序的步骤：玻璃基片或硅基片的清洗；先将2.0～5.0份TeO2放入30～120份的溶剂中，待其完全反应后，将1.0～3.0份Cu(NO3)2、1.0～3.0份In(NO3)3和0.1～3.0份Ga(NO3)3放入，使溶液中的物质均匀混合；制作表面均匀涂布步骤b所述溶液的基片，自然晾干，得到前驱体薄膜样品；d.将步骤c所得前驱体薄膜样品置于支架上，放入有水合联氨的可密闭容器，使前驱体薄膜样品不与联氨接触；水合联氨放入量为30.0～45.0份；将上述装有前驱体薄膜样品的密闭容器放入烘箱中，加热至160～220℃之间，保温时间10～60小时，然后冷却到室温取出；e.取出自然干燥后，重复b、c和d步骤2~6次，以增加所制备薄膜的厚度；f.将步骤e所得物，使其常温自然干燥后，增加热处理工艺，在管式加热炉中加热至200~400℃，保温5~15小时，即得到铜铟镓碲光电薄膜。