[发明专利]半导体器件和用于半导体器件的制造方法

摘要

本发明涉及半导体器件和用于半导体器件的制造方法。本发明的半导体器件包括：元件隔离部分，其被布置在鳍之间并且其高度低于每个鳍的高度；存储栅极电极，其被放置在鳍和元件隔离部分之上，在存储栅极电极与鳍和元件隔离部分之间具有含电荷存储部分的存储栅极绝缘膜；以及控制栅极电极，其被布置成与存储栅极电极成直线。存储栅极电极下方的元件隔离部分的高度高于控制栅极电极下方的元件隔离部分的高度。通过如上所述使存储栅极电极下方的元件隔离部分的高度高于控制栅极电极下方的元件隔离部分的高度，电子注入和空穴注入之间的失配得到改善、重写操作速度加快、并且可靠性增强。

主权项

1.一种半导体器件，包括：第一鳍，以长方体形状在第一方向上延伸；第二鳍，以长方体形状在所述第一方向上延伸并且被放置在距所述第一鳍一定距离处；元件隔离部分，被放置在所述第一鳍和所述第二鳍之间，并且所述元件隔离部分的高度低于所述第一鳍和所述第二鳍中的每个鳍的高度；第一栅极电极，被放置在所述第一鳍、所述元件隔离部分和所述第二鳍之上，在所述第一栅极电极与所述第一鳍、所述元件隔离部分和所述第二鳍之间具有含电荷存储部分的第一栅极绝缘膜，并且所述第一栅极电极在与所述第一方向相交的第二方向上延伸；和第二栅极电极，被放置在所述第一鳍、所述元件隔离部分和所述第二鳍之上，在所述第二栅极电极与所述第一鳍、所述元件隔离部分和所述第二鳍之间具有第二栅极绝缘膜，所述第二栅极电极在与所述第一方向相交的所述第二方向上延伸并且被布置成与所述第一栅极电极成直线，其中所述第一栅极电极下方的所述元件隔离部分的高度高于所述第二栅极电极下方的所述元件隔离部分的高度。