[发明专利]半导体存储装置的纠错电路、半导体存储装置及存储系统有效

专利信息
申请号: 201810523603.8 申请日: 2018-05-28
公开(公告)号: CN109215722B 公开(公告)日: 2023-05-26
发明(设计)人: 车相彦;金明五 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G11C29/42 分类号: G11C29/42
代理公司: 华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 刘培培;黄隶凡
地址: 韩国京畿道水*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种包括存储单元阵列的半导体存储装置的纠错电路,纠错电路包括存储纠错码的纠错码存储器以及纠错码引擎。所述纠错码由生成矩阵表示。所述纠错码引擎使用所述纠错码、基于主数据来产生第一奇偶校验数据,并使用所述第一奇偶校验数据来纠正从所述存储单元阵列读取的所述主数据中的至少一个错误位。所述主数据包括多个数据位,所述多个数据位被划分成多个子码字群组。所述纠错码包括多个列向量,所述多个列向量被划分成与所述子码字群组对应的多个码群组。所述列向量具有被配置成限制其中出现误纠正位的子码字群组的位置的元素,其中所述误纠正位是由于所述主数据中的错误位而产生的。也提供一种半导体存储装置及存储系统。
搜索关键词: 半导体 存储 装置 纠错 电路 存储系统
【主权项】:
1.一种半导体存储装置的纠错电路,所述半导体存储装置包括存储单元阵列,其特征在于,所述纠错电路包括:纠错码存储器,存储纠错码,其中所述纠错码由生成矩阵表示;以及纠错码引擎,被配置成使用所述纠错码、基于主数据来产生第一奇偶校验数据,并使用所述第一奇偶校验数据来纠正从所述存储单元阵列读取的所述主数据中的至少一个错误位,其中所述主数据包括多个数据位,所述多个数据位被划分成多个子码字群组;其中所述纠错码包括多个列向量,所述多个列向量被划分成与所述子码字群组对应的多个码群组,且其中所述列向量具有被配置成限制所述多个子码字群组中出现误纠正位的子码字群组的位置的元素,其中所述误纠正位是由于所述主数据中的错误位而产生的。
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