[发明专利]一种基于MBE设备原位低温获得大尺寸Ga滴的方法在审
| 申请号： | 201810523864.X | 申请日： | 2018-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN108751127A | 公开（公告）日： | 2018-11-06 |
| 发明（设计）人： | 石震武;杨新宁;杨琳韵;缪力力;陈晨;霍大云;邓长威;彭长四 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | B82B1/00 | 分类号： | B82B1/00;B82B3/00;H01L21/268 |
| 代理公司： | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 | 代理人： | 杨慧林 |
| 地址： | 215131 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于MBE设备原位低温获得大尺寸Ga滴的方法，包括步骤，利用分子束外延系统在基底上沉积Ga，以获得一层致密的Ga滴，在所述分子束外延系统上原位引入脉冲激光，使脉冲激光辐照上述Ga滴，使Ga滴融合团聚形成大尺寸的Ga滴。本申请采用分子束外延系统，在较低的基底温度下直接在基底表面沉积一层致密的Ga滴，直接在高真空外延设备MBE系统上原位引入脉冲激光对致密的Ga滴进行照射，Ga滴在膨胀时与相邻的Ga滴互相融合，从而制备得到大尺寸的Ga滴，由于整个制备大尺寸Ga滴的过程基底温度始终可以处于低温，因此可有效避免Ga滴对基底材料的刻蚀作用。 | ||
| 搜索关键词： | 分子束外延系统 致密 基底 脉冲激光 原位低温 沉积 制备 脉冲激光辐照 基底表面 基底材料 刻蚀作用 外延设备 融合 高真空 引入 照射 团聚 膨胀 申请 | ||
【主权项】：
1.一种基于MBE设备原位低温获得大尺寸Ga滴的方法，其特征在于：包括步骤，S1、利用分子束外延系统在基底上沉积Ga，以获得一层密度不低于3.5×1010/cm2的Ga滴(1a)，S2、在所述分子束外延系统上原位引入脉冲激光，使脉冲激光辐照上述Ga滴(1a)，使靠近的Ga滴(1a)发生融合团聚。
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