[发明专利]半导体基片的检测方法及检测装置在审
| 申请号： | 201810524124.8 | 申请日： | 2018-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN110544640A | 公开（公告）日： | 2019-12-06 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 11313 北京市铸成律师事务所 | 代理人： | 张臻贤;王珺<国际申请>=<国际公布>= |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例公开了一种半导体基片的检测方法及检测装置。方法包括：提供一半导体基片，半导体基片的一侧具有基片图案；进行显微拍照，形成基片图像；对基片图像进行形状特征提取，获得基片图案的提取形状；将提取形状与标准形状进行形状比较，得到形状相似度；比较形状相似度与相似度标准值，根据比较结果对半导体基片进行检测。系统包括：显微拍照单元，用于对半导体基片具有基片图案的表面进行显微拍照，形成基片图像；检测单元，与显微拍照单元连接，用于对基片图像进行形状特征提取，获得基片图案的提取形状；将提取形状与标准形状进行形状比较，得到形状相似度；且比较形状相似度与相似度标准值，根据比较结果对半导体基片进行检测。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体基片 形状相似度 基片图案 基片图像 显微 形状特征提取 检测 标准形状 拍照单元 相似度 拍照 检测装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体基片的检测方法，其特征在于，包括如下步骤：/n提供一半导体基片，所述半导体基片的一侧具有光刻工艺形成的基片图案；/n对所述半导体基片具有所述基片图案的表面进行显微拍照，形成基片图像；/n对所述基片图像进行形状特征提取，获得所述基片图案的提取形状；/n提供标准形状；/n将所述提取形状与所述标准形状进行形状比较，得到形状相似度；以及/n比较所述形状相似度与相似度标准值，根据比较结果对所述半导体基片进行检测。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
