[发明专利]电极结构及其制备方法、阵列基板有效
| 申请号： | 201810524716.X | 申请日： | 2018-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN108807518B | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 胡小波 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/43 | 分类号： | H01L29/43;H01L21/283;H01L27/12 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰;黄进 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电极结构，其包括形成在衬底上的铜金属层，所述铜金属层自上表面起的第一深度范围内掺杂有第一金属离子，所述第一金属离子与铜晶粒通过金属键结合形成铜合金层；其中，所述第一深度小于所述铜金属层的厚度，所述第一金属离子为具有耐腐蚀性并且离子半径小于铜晶粒间隙的金属离子。如上所述的电极结构的制备方法包括：在衬底上沉积形成所述铜金属层；应用离子注入工艺向所述铜金属层的所述第一深度范围内注入所述第一金属离子；应用真空退火工艺对所述铜金属层进行退火处理，使所述第一金属离子与铜晶粒通过金属键结合形成所述铜合金层。本发明提供的电极结构，应用于半导体器件中，其可以提升半导体器件的信号传输能力。 | ||
| 搜索关键词： | 电极 结构 及其 制备 方法 阵列 | ||
【主权项】：
1.一种电极结构，包括形成在衬底上的铜金属层，其特征在于，所述铜金属层自上表面起的第一深度范围内掺杂有第一金属离子，所述第一金属离子与铜晶粒通过金属键结合形成铜合金层；所述第一深度小于所述铜金属层的厚度，所述第一金属离子为具有耐腐蚀性并且离子半径小于铜晶粒间隙的金属离子。
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