[发明专利]一种高性能硅基椭圆栅隧穿场效应晶体管有效
| 申请号： | 201810525728.4 | 申请日： | 2018-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN108733940B | 公开（公告）日： | 2023-05-05 |
| 发明（设计）人： | 胡光喜;鲍佳睿;胡淑彦;刘冉;郑立荣 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | G06F30/367 | 分类号： | G06F30/367 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;陆尤 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于集成电路半导体技术领域，具体为一种高性能硅基椭圆栅隧穿场效应晶体管。其结构为以氧化铪作为衬底氧化层，在氧化铪上方是作为沟道和源漏的半椭柱型硅，在沟道上覆盖与沟道同长径比的椭环型氧化铪栅氧化层和金属栅。其中，对源端进行p型高浓度的硼掺杂，对沟道进行轻n掺杂，对漏端进行n型高浓度的磷掺杂。这种场效应管以横向隧穿为主要隧穿机制，可看做一个栅控的p‑i‑n结。仿真软件仿真表明，该隧穿场效应管具有良好的亚阈值特性，最小亚阈值摆幅可以低至20 mV/dec，比传统MOSFET的最小亚阈值摆幅60 mV/dec还要小三倍，为此类隧穿器件的实际开发和应用提供了很好的设计基础。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 性能 椭圆 栅隧穿 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种高性能硅基椭圆栅隧穿场效应晶体管，其特征在于，其源、漏、沟道、栅氧化层和栅均为半椭柱型结构，载流子输运通过量子隧穿实现；其结构包括：氧化层衬底；在氧化层衬底上方的作为沟道和源、漏的半椭柱型硅；覆盖在所述沟道上，与沟道同长径比的椭环型栅氧化层和金属栅。
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