[发明专利]一种提高Zr元素固溶度的钐钴磁体及方法有效
| 申请号： | 201810527477.3 | 申请日： | 2018-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN108777202B | 公开（公告）日： | 2019-09-13 |
| 发明（设计）人： | 蒋成保;徐成;张天丽;王慧;刘敬华;张明;王敬东;蔡明光 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | H01F1/055 | 分类号： | H01F1/055;H01F41/02;C21D1/18;C21D6/00 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人： | 安丽;贾玉忠 |
| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高Zr元素固溶度的钐钴磁体及方法，通过调节固溶温度为Tst＝1248‑4*WFe(％)±3℃，抑制富Zr第二相的析出，通过Zr元素取代高温1:7H相中哑铃位Fe‑Fe原子对，使钐钴磁体主相1:7H的c/a收缩率高于1％，提高高温相1:7H结构的稳定性，在Tst温度固溶后磁体固溶态为单相1:7H相。在Tst温度固溶的单相1:7H磁体，富Zr析出相含量低于1vol.％，优化了磁体的性能及退磁曲线的方形度，能够用于制备不同铁含量成分的钐钴磁体。 | ||
| 搜索关键词： | 钐钴磁体 固溶 固溶度 析出 退磁曲线 元素取代 第二相 方形度 高温相 固溶态 收缩率 析出相 哑铃 主相 制备 优化 | ||
【主权项】：
1.一种提高Zr元素固溶度的钐钴磁体，其特征在于：钐钴磁体的表达式为Sm(Co1‑u‑v‑wFeuCuvZrw)z，其中u＝0.1～0.36，v＝0.06～0.10，w＝0.02～0.04，z＝6.8～8.0；在所述钐钴磁体制备过程的热处理工艺中，最佳固溶温度的选择为Tst＝1248‑4*WFe(％)±3℃，其中WFe为磁体成分中Fe元素的质量分数。
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