[发明专利]一种显示结构生产方法有效
| 申请号： | 201810527506.6 | 申请日： | 2018-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN108735865B | 公开（公告）日： | 2019-11-01 |
| 发明（设计）人： | 潘小和 | 申请（专利权）人： | 矽照光电（厦门）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L27/15 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种显示结构生产方法，包括步骤：在柔性衬底上制造有源矩阵显示控制芯片衬底；在蓝宝石晶圆上生长短波长III‑V族半导体发光器件量子发光薄膜；将有源矩阵显示控制芯片衬底具有金属薄膜粘合层的一面与带有短波长III‑V族半导体发光器件量子发光薄膜的蓝宝石晶圆进行金属粘合；整个柔性有源矩阵显示控制芯片衬底都覆盖上短波长III‑V族半导体发光器件量子发光薄膜；刻蚀形成短波长III‑V族半导体发光器件量子发光阵列；填充阵列之间沟隙；进行平面化处理；在阵列表面上设置透明ITO薄膜电极层；分别沉积至少三基色光致激发薄膜层并刻蚀形成有源薄膜矩阵像素阵列；在有源薄膜矩阵像素阵列上覆盖一层透明保护层，得到显示结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体发光器件 短波长 衬底 量子 显示控制芯片 发光薄膜 显示结构 源矩阵 矩阵像素阵列 蓝宝石 源薄膜 晶圆 刻蚀 平面化处理 透明保护层 发光阵列 金属薄膜 金属粘合 三基色光 阵列表面 薄膜层 粘合层 覆盖 沟隙 沉积 填充 透明 生产 生长 激发 制造 | ||
【主权项】：
1.一种显示结构生产方法，其特征在于，包括步骤：在柔性衬底上制造具有金属薄膜粘合层的有源矩阵显示控制芯片衬底，其中，所述有源矩阵显示控制芯片衬底的一面具有所述金属薄膜粘合层；在蓝宝石晶圆上生长短波长III‑V族半导体发光器件量子发光薄膜；将所述有源矩阵显示控制芯片衬底具有所述金属薄膜粘合层的一面与带有短波长III‑V族半导体发光器件量子发光薄膜的蓝宝石晶圆进行金属粘合；采用紫外激光扫描处理带有短波长III‑V族半导体发光器件量子发光薄膜的蓝宝石晶圆，形成一个剥离区，剥离蓝宝石衬底以及未经紫外激光扫描处理的量子发光薄膜；重复以上步骤，直到整个柔性有源矩阵显示控制芯片衬底都覆盖上短波长III‑V族半导体发光器件量子发光薄膜；在所述短波长III‑V族半导体发光器件量子发光薄膜上刻蚀形成短波长III‑V族半导体发光器件量子发光阵列；填充短波长III‑V族半导体发光器件量子发光阵列之间沟隙；将短波长III‑V族半导体发光器件量子发光阵列表面进行平面化处理；在短波长III‑V族半导体发光器件量子发光阵列表面上设置透明ITO薄膜电极层；在所述透明ITO薄膜电极层上分别沉积至少三基色光致激发薄膜层并刻蚀形成有源薄膜矩阵像素阵列；在所述有源薄膜矩阵像素阵列上覆盖一层透明保护层，得到显示结构。
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