[发明专利]用于制造磁性结的自组装图案方法在审
申请号: | 201810527548.X | 申请日: | 2018-05-28 |
公开(公告)号: | CN108987428A | 公开(公告)日: | 2018-12-11 |
发明(设计)人: | 弗拉基米尔·尼基京;德米特罗·阿帕尔科夫;塞巴斯蒂安·沙费尔 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/22 | 分类号: | H01L27/22;H01L21/82 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 杨静 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 描述了可用于磁性器件中的磁性结和一种用于提供磁性结的方法。提供图案化的晶种层。图案化的晶种层包括散布有绝缘基质的磁晶种岛。在图案化的晶种层之后提供磁阻堆栈的至少一部分。磁阻堆栈包括至少一个磁性分离层。磁性分离层包括至少一种磁性材料和至少一个绝缘体。该方法至少使磁阻堆栈的该部分退火,以使得该至少一个磁性分离层分离。磁性分离层的成分分离,使得磁性材料的部分与磁晶种岛对准,并且使得绝缘体的部分与绝缘基质对准。 | ||
搜索关键词: | 磁性分离 晶种层 图案化 磁阻 堆栈 绝缘体 磁性材料 绝缘基质 磁晶 对准 退火 成分分离 磁性器件 方法描述 自组装 可用 散布 图案 制造 | ||
【主权项】:
1.一种用于在衬底上提供能够用于磁性器件的多个磁性结的方法,所述方法包括:提供图案化的晶种层,所述图案化的晶种层包括散布有绝缘基质的多个磁晶种岛;在提供所述图案化的晶种层的步骤之后提供磁阻堆栈的至少一部分,所述磁阻堆栈包括至少一个磁性分离层,所述至少一个磁性分离层包括至少一种磁性材料和至少一个绝缘体;使所述磁阻堆栈的所述至少一部分退火,以使得所述至少一个磁性分离层分离,使得所述至少一种磁性材料的多个部分与所述多个磁晶种岛对准,并且使得所述至少一个绝缘体的多个部分与所述绝缘基质对准。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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