[发明专利]一种提高LED管芯亮度的无损裂片方法有效

专利信息
申请号: 201810527819.1 申请日: 2018-05-29
公开(公告)号: CN110544734B 公开(公告)日: 2020-12-11
发明(设计)人: 郑军;刘晓;闫宝华;肖成峰 申请(专利权)人: 山东浪潮华光光电子股份有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00;H01L21/78;H01L21/306;H01L21/02
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 261061 *** 国省代码: 山东;37
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摘要: 一种提高LED管芯亮度的无损裂片方法,过ICP刻蚀到一定程度的深度后直接采用研磨机对LED芯片进行背面减薄,直至到刻蚀的深度处,管芯自然裂开,既有效解决了切割中存在的崩边、斜劈裂等问题,又因为芯片背面直接不做任何切割,最大限度的保留了芯片正面的发光面积,有效提高出光效率。
搜索关键词: 一种 提高 led 管芯 亮度 无损 裂片 方法
【主权项】:
1.一种提高LED管芯亮度的无损裂片方法,其特征在于,包括如下步骤:/na)将LED芯片前制程作业完成的半成品芯片的P面表面涂抹一层负性胶,涂胶后在P面上形成掩护膜;/nb)将涂胶后的LED芯片放置于光刻机平台上进行光照曝光,在负性胶上曝光出切割道图形;/nc)将曝光后的LED芯片放置于烘箱中烘烤,使负性胶层固化;/nd)将烘烤后的LED芯片放置于显影腐蚀液中进行显影刻蚀,沿切割道图形哎掩护膜上刻蚀出切割槽;/ne)将显影后的LED芯片进行清洗,清洗后进行烘干;/nf)将烘干后的LED芯片利用ICP刻蚀机沿切割槽进行刻蚀,刻蚀深度延伸到衬底层;/ng)将刻蚀后的LED芯片,通过化学腐蚀法取出掩护膜;/nh)将去掉掩护膜的LED芯片的P面朝下贴附在蓝膜上;/ni)将贴附在蓝膜上的LED芯片吸附在研磨盘上,在LED芯片N面进行研磨减薄,直到研磨到ICP刻蚀的深度,芯片自然裂开;/nj)将研磨后裂开的LED芯片放置在高压清洗机上进行清洗,将清洗后的LED芯片进行倒膜,倒膜成P面电极朝上。/n
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