[发明专利]一种UTBB光电探测器阵列及其工作方法有效
申请号: | 201810528240.7 | 申请日: | 2018-05-29 |
公开(公告)号: | CN108666336B | 公开(公告)日: | 2020-09-11 |
发明(设计)人: | 杜刚;刘力桥;沈磊;刘晓彦 | 申请(专利权)人: | 北京大学 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人: | 刘广达 |
地址: | 100871*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种UTBB光电探测器阵列及其工作方法,其中,光电探测器的阵列包括:由栅极公共端组成的字线、由漏极公共端组成的位线、由公共源极组成的共源端以及由具有不同掺杂类型区域的衬底分别组成的势阱端。所述双工作模式包括:通过一个包含双阱结构的全像素单元进行光采集,使得光电探测器实现高灵敏度的工作模式;以及将一个像素单元拆分成两个半宽度像素,每个半宽度像素单独完成一个像素点光信号的采集,使得光电探测器实现高分辨率的工作模式。本发明的优点是,通过所述的UTBB光电探测器阵列及其工作方法,在不改变原有器件性能的基础上,使得具有UTBB结构的光电探测器同时具有高分辨率和高灵敏度两种工作模式。 | ||
搜索关键词: | 一种 utbb 光电 探测器 阵列 及其 工作 方法 | ||
【主权项】:
1.一种UTBB光电探测器阵列,其特征在于,所述阵列由M×N个,且M、N大于等于2的全像素单元组成,所述全像素单元具有双阱差分结构,包括:半宽度像素的衬底中部分区域具有P型掺杂和半宽度像素的衬底中部分区域具有N型掺杂。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的