[发明专利]一种SiC纳米线增强铝碳化硅复合材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201810528739.8 | 申请日： | 2018-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN108754357B | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 廖家豪;其他发明人请求不公开姓名 | 申请（专利权）人： | 苏州宏久航空防热材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C22C49/06 | 分类号： | C22C49/06;C22C49/14;C22C47/08;C22C47/04;C04B41/87;C23C16/34;C22C101/14 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215400 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
一种SiC纳米线增强铝碳化硅复合材料，由碳化硅泡沫陶瓷，SiC纳米线，BN界面层，碳化硅和铝合金组成，其特征在于SiC纳米线原位生长在碳化硅泡沫陶瓷中，BN界面层包覆在SiC纳米线和碳化硅泡沫陶瓷表面，碳化硅和铝合金填充在碳化硅泡沫陶瓷内部和表层；所述的碳化硅泡沫陶瓷密度为0.3~0.6g/cm |
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| 搜索关键词： | 一种 sic 纳米 增强 碳化硅 复合材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种SiC纳米线增强铝碳化硅复合材料，由碳化硅泡沫陶瓷，SiC纳米线，BN界面层，碳化硅和铝合金组成，其特征在于SiC纳米线原位生长在碳化硅泡沫陶瓷中，BN界面层包覆在SiC纳米线和碳化硅泡沫陶瓷表面，碳化硅和铝合金填充在碳化硅泡沫陶瓷内部和表层；所述的碳化硅泡沫陶瓷密度为0.3~0.6g/cm3，孔隙率为70~90%，孔密度为15~35PPI；所述的SiC纳米线直径为50~200nm，长度为0.5~3mm；所述的BN界面层厚度为0.05~0.3μm；所述的碳化硅呈颗粒状，粒径为0.5~1μm，纯度为97~99%。
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