[发明专利]一种多晶硅表面的修复方法在审
| 申请号： | 201810530830.3 | 申请日： | 2018-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN108735589A | 公开（公告）日： | 2018-11-02 |
| 发明（设计）人： | 王湘海 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开一种多晶硅表面的修复方法，适用于修复受损的多晶硅表面的过程中，其中，提供一具有受损的多晶硅表面的半导体结构，还包括以下步骤：步骤S1、以一酸性溶液清洗多晶硅表面，以去除多晶硅表面上的氧化膜；步骤S2、以一碱性溶液处理多晶硅表面，以使多晶硅表面粗糙；步骤S3、于粗糙的多晶硅表面上沉积一多晶硅层；步骤S4、平坦化多晶硅层。本发明的技术方案有益效果在于：通过酸性溶液与碱性溶液处理多晶硅表面，且在受损的多晶硅表面上重新沉积多晶硅层，以有效改善多晶硅表面与沉积的多晶硅层的之间的边界问题，进一步提高了多晶硅表面的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶硅表面 多晶硅层 沉积 碱性溶液处理 酸性溶液 受损 修复 粗糙 半导体结构 边界问题 平坦化 氧化膜 去除 清洗 | ||
【主权项】：
1.一种多晶硅表面的修复方法，适用于修复受损的多晶硅表面的过程中，其特征在于，提供一具有受损的多晶硅表面的半导体结构，还包括以下步骤：步骤S1、以一酸性溶液清洗所述多晶硅表面，以去除所述多晶硅表面上的氧化膜；步骤S2、以一碱性溶液处理所述多晶硅表面，以使所述多晶硅表面粗糙；步骤S3、于粗糙的所述多晶硅表面上沉积一多晶硅层；步骤S4、平坦化所述多晶硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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