[发明专利]一种GaN外延晶片界面热阻的测量方法以及装置在审
| 申请号： | 201810532951.1 | 申请日： | 2018-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN108593707A | 公开（公告）日： | 2018-09-28 |
| 发明（设计）人： | 孙华锐;刘康;周岩 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学深圳研究生院 |
| 主分类号： | G01N25/20 | 分类号： | G01N25/20 |
| 代理公司： | 佛山市海融科创知识产权代理事务所(普通合伙) 44377 | 代理人： | 陈志超;罗尹清 |
| 地址： | 518055 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaN外延晶片界面热阻的测量方法以及装置，包括以下步骤：发射紫外脉冲激光；发射连续激光；将紫外脉冲激光扩束；将紫外脉冲激光与连续激光进行合束共轴；两束激光汇聚到待测GaN外延晶片上；接收从待测GaN外延晶片表面反射回来的光信号；根据光热效应，通过所述光信号的变化强度评估GaN外延晶片表面温度的变化，得到瞬态热反射曲线；通过拟合程序拟合来获得待测GaN外延晶片界面热阻。本发明将加热激光设定为波长为355nm的紫外脉冲激光，探测激光设定为波长为325nm的连续激光，并进行共轴操作，以解决现有的瞬态热反射法测量GaN外延晶片界面热阻需要在GaN表面加镀金属薄膜或者进行器件加工的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 外延晶片 紫外脉冲激光 界面热阻 连续激光 瞬态热反射 测量 波长 共轴 拟合 镀金属薄膜 表面反射 光热效应 激光汇聚 加热激光 器件加工 强度评估 探测激光 发射 合束 扩束 | ||
【主权项】：
1.一种GaN外延晶片界面热阻的测量方法，其特征在于，包括以下步骤：发射紫外脉冲激光，所述紫外脉冲激光用于对待测GaN外延晶片加热；发射连续激光，所述连续激光作为探测激光；将紫外脉冲激光扩束；将紫外脉冲激光与连续激光进行合束并共轴；紫外脉冲激光与连续激光汇聚到待测GaN外延晶片上；接收从待测GaN外延晶片表面反射回来的光信号；根据光热效应，通过所述光信号的变化强度评估GaN外延晶片表面温度的变化，得到瞬态热反射曲线；通过拟合程序拟合来获得待测GaN外延晶片界面热阻。
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