[发明专利]一种添加Si元素提高铝合金CMT增材沉积零件延展率的方法在审
| 申请号： | 201810533071.6 | 申请日： | 2018-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN110539052A | 公开（公告）日： | 2019-12-06 |
| 发明（设计）人： | 胡绳荪;勾健;申俊琦;田银宝 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | B23K9/04 | 分类号： | B23K9/04;B23K9/23;B23K35/36 |
| 代理公司： | 12214 天津创智天诚知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 王秀奎<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开一种添加Si元素提高铝合金CMT增材沉积零件延展率的方法，在铝合金CMT增材制造过程中，加入硅片。在CMT电弧作用下，硅片融化进入熔池中。合金中Si元素形成共晶相，与基体组织不共格，其存在的种类和数量以及颗粒尺寸会最终影响铝合金试样的组织和性能，并最终通过增加析出相来影响合金的组织，通过在铝合金中加入Si元素来获得具有优秀延展率的增材制造沉积零件。 | ||
| 搜索关键词： | 铝合金 延展率 硅片 沉积 铝合金试样 电弧作用 基体组织 影响合金 制造过程 共晶相 析出相 熔池 合金 融化 制造 | ||
【主权项】：
1.一种添加Si元素提高铝合金CMT增材沉积零件延展率的方法，其特征在于，在完成一层铝合金CMT增材制造后，在该层上设置硅片，再进行下一层的CMT增材制造，硅片被下一层CMT增材制造中的CMT焊接电弧熔化，并进入焊接熔池中；直到完成CMT增材制造。/n
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