[发明专利]工作在高次模的太赫兹EIO制作方法及该太赫兹EIO及谐振腔有效
申请号: | 201810533135.2 | 申请日: | 2018-05-29 |
公开(公告)号: | CN108807114B | 公开(公告)日: | 2019-12-06 |
发明(设计)人: | 李爽;王东阳;王建国;滕雁 | 申请(专利权)人: | 西北核技术研究所 |
主分类号: | H01J25/11 | 分类号: | H01J25/11;H01J23/24 |
代理公司: | 61211 西安智邦专利商标代理有限公司 | 代理人: | 汪海艳<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
地址: | 710024 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明涉及一种工作在高次模的太赫兹EIO制作方法及该太赫兹EIO及谐振腔,在高次模工作环境下,通过对工作电压、电流的优化,在保证太赫兹扩展互作用振荡器稳定运行的前提下,确定太赫兹扩展互作用振荡器中谐振间隙数目;与传统的工作在基模的扩展互作用振荡器有较大差别。通过选择TM31模作为工作模式,在相同工作频率下,谐振腔的空间得以扩大。这样做,一方面提高了谐振腔内部的功率容量,有助于提升器件的输出功率;另一方面,器件尺寸得到扩大,可以在一定程度上降低微细加工的难度。最终的器件可以实现约85W的功率输出,工作频率为338.4GHz。该工作在高次模的设计方法适用于提高太赫兹扩展互作用振荡器的输出功率和器件的工程可实现性。 | ||
搜索关键词: | 高次模 谐振腔 振荡器 工作频率 输出功率 谐振 工作电压 工作模式 功率容量 功率输出 提升器件 微细加工 稳定运行 传统的 基模 制作 优化 保证 | ||
【主权项】:
1.一种工作在高次模的太赫兹EIO的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:/n步骤一:在高次模工作环境下,通过对工作电压、电流的优化,在保证太赫兹扩展互作用振荡器稳定运行的前提下,确定太赫兹扩展互作用振荡器中谐振间隙数目;/n步骤二:根据束波互作用的同步条件,确定工作在高次模的太赫兹扩展互作用振荡器中每个谐振间隙的尺寸;/n步骤三:根据输出端口反射系数,确定梯形输出波导结构尺寸;/n步骤四:根据步骤一至步骤三得出的参数制作太赫兹扩展互作用振荡器。/n
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