[发明专利]一种GaN中子探测器用的大面积厚膜6

摘要

本发明公开一种GaN中子探测器用的大面积厚膜6LiF中子转换层制备方法，包含以下步骤：将GaN衬底进行表面处理；在GaN的正表面沉积Au，形成正面Au电极；利用光刻工艺和湿法腐蚀获得凹坑型GaN图形化Au电极；将凹坑型GaN图形化Au电极放置于真空镀膜设备中并加热GaN衬底；前期蒸镀采用低速率蒸镀6LiF，后期采用高速率蒸镀满足厚度要求的6LiF中子转换层。本发明制备的GaN中子探测器用的大面积厚膜6LiF中子转换层，具有制备转换层的面积大和厚膜，晶体质量好，不脱落，中子探测效率高和灵敏度高等优点，在航空航天探索、核能利用与开发、放射性同位素的产生应用以及一些特殊领域有重要的应用价值。

主权项

1.一种GaN中子探测器用的大面积厚膜6LiF中子转换层制备方法，其特征在于：包括以下步骤：(1)将GaN衬底放入120度的H2SO4:H2O2＝5:1混合液中煮沸5分钟，而后放入HCL:DI＝3:1混合液中浸泡5分钟，去除GaN表面的氧化物；(2)将GaN衬底利用丙酮、异丙醇、去离子水各超声清洗5分钟，去除GaN表面的有机和无机物的沾污，利用高纯氮气吹干；(3)在清洗后的GaN衬底正表面沉积Au，形成正面Au电极；(4)利用光刻方法在GaN正面Au电极上形成含有图形化的光刻胶；(5)将含有图形化光刻胶的GaN正面Au电极利用湿法腐蚀方法，获得GaN图形化Au电极；(6)利用负胶剥离液将GaN图形化Au电极表面的光刻胶去除；(7)利用真空镀膜设备在GaN图形化Au电极正表面蒸镀20～50μm的大面积厚膜6LiF。