[发明专利]一种高温相偏硼酸钡晶体的制备方法在审
| 申请号： | 201810534210.7 | 申请日： | 2018-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN108660511A | 公开（公告）日： | 2018-10-16 |
| 发明（设计）人： | 王升;郑燕青;涂小牛;熊开南;孔海宽;施尔畏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C30B29/22 | 分类号： | C30B29/22;C30B11/00 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高温相偏硼酸钡晶体的制备方法，包括：按钡硼原子比为1:（2 +x）配比称取碳酸钡和硼酸粉料后，再经混合、压块和烧结，得到原料块，其中x=0～0.01；在至少一个坩埚底部放入籽晶，然后装入所述原料块并密封；将至少一个坩埚置于温度梯度为20～60℃/cm的坩埚下降炉的高温区，调整坩埚位置使所述原料块在1050～1150℃的生长温度下保温5～10小时，使得原料块和籽晶的顶部融化；然后以0.1～0.5mm/h的速率下降的同时并保持生长温度以1～3℃/天的升温速率升温，直至原料块全部结晶后停止下降，随后冷却至室温，得到所述高温相偏硼酸钡晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 高温相偏硼酸钡 晶体的 籽晶 坩埚 制备 称取碳酸钡 坩埚下降炉 温度梯度 坩埚位置 烧结 生长 高温区 硼酸粉 原子比 钡硼 放入 配比 压块 保温 密封 装入 冷却 融化 | ||
【主权项】：
1.一种高温相偏硼酸钡晶体的生长方法，其特征在于，包括：按钡硼原子比为1 :（2 +x）配比称取碳酸钡和硼酸粉料后，再经混合、压块和烧结，得到原料块，其中x=0～0.01；在至少一个坩埚底部放入籽晶，然后装入所述原料块并密封；将至少一个坩埚置于温度梯度为20～60℃/cm的坩埚下降炉的高温区，调整坩埚位置使所述原料块在1050～1150℃的生长温度下保温5～10小时，使得原料块和籽晶的顶部融化；然后以0.1～0.5mm/h的速率下降的同时并保持生长温度以1～3℃/天的升温速率升温，直至原料块全部结晶后停止下降，随后冷却至室温，得到所述高温相偏硼酸钡晶体。
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