[发明专利]一种基于表面贴电阻型的半模基片集成波导衰减器

摘要

本发明涉及微波电路技术，具体涉及一种基于表面贴电阻的半模基片集成波导,HMSIW衰减器。本发明在HMSIW本体中，沿着与电磁场传播的垂直方向等距离开3条槽线，并在其中引入等间距的耗能元件‑电阻，增加传播通道上的损耗。当电磁波在HMSIW本体中传播的时候，被槽线隔断的HMSIW表面结构将阻挡电磁波的继续传播，此时表面贴电阻在传播TE0.5，0模的同时对信号进行一定程度的衰减。其衰减量的大小与电阻值成正比关系：当电阻值是零欧时，近似于常规的HMSIW结构，无衰减；当电阻值无穷大时，等效于HMSIW本体被槽线隔断，传输通道断开。本发明提供了一种新的HMSIW衰减器结构，且增加了带宽和平坦度。

主权项

1.一种基于表面贴电阻型半模基片集成波导衰减器，包括HMSIW本体、渐变线和微带线，HMSIW本体通过两条渐变线与两条微带线相连，其特征在于：所述HMSIW本体设有3条互相平行等距的槽线，用于安装贴片电阻；HMSIW本体宽边长Ws，即金属化通孔行与HMSIW虚拟磁壁面的距离，长边为Ls；渐变线与HMSIW本体宽边的衔接边为Wt，在两条Wt的金属化通孔一侧各自引入一个匹配用的共计2个金属化通孔，且2个匹配用金属化通孔与HMSIW中的中间槽线成轴对称；所述3条槽线沿垂直于HMSIW本体中电磁波传播方向设置，长度Lc有Ws‑2*Dvp≤Lc≤Ws，宽度Gap有Gap≤0.15mm；HMSIW本体关于中间槽线对称；各槽线中的贴片电阻设置一致，均以Gap_W等间距设置，0mm＜Gap_W＜Ws/5，每条槽线中的一个最外侧电阻与HMSIW虚拟磁壁面平齐，所有贴片电阻的阻值R均相同。Lm为微带线的长度，Wm为微带线的线宽，Lt为渐变线长度，Dvp为金属化通孔的直径，Svp为同行相邻金属化通孔的中心孔间距，Lx为匹配用金属化通孔的圆心距离对应的HMSIW本体宽边横向距离，0mm＜Lx＜3mm，Ly为匹配用金属化通孔与同侧金属化通孔的纵向孔心距，0mm＜Ly＜(Ws‑Wt)/2，Gap_L为相邻槽线的中心间距。