[发明专利]氮极性III族/氮化物磊晶结构及其主动元件与其积体化的极性反转制作方法有效
| 申请号： | 201810534618.4 | 申请日： | 2018-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN109004033B | 公开（公告）日： | 2022-05-10 |
| 发明（设计）人： | 黄知澍 | 申请（专利权）人： | 黄知澍 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L21/335;H01L29/20 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾台北市大*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是关于一种氮极性III族/氮化物磊晶结构及其主动元件与其制作方法。在元件设计上藉由氟离子结构使氮极性III族/氮化物磊晶结构内的二维电子气在氟离子结构下方处能呈现空乏状态，此时二维电子气位于氮化镓通道层与该氮化镓铝(y)层的接面处；尔后，藉由上述结构制作出氮化镓加强型氮化镓铝/氮化镓高速电子迁移率晶体管、混合型萧特基位障二极管或混合型元件，此时，经过极性反转制程步骤(也就是绝缘保护介电层所产生的应力)后，二维电子气从该氮化镓通道层与该氮化镓铝(y)层的接面处上升至该氮化镓通道层与该氮化镓铝(x)层的接面处。 | ||
| 搜索关键词： | 极性 iii 氮化物 结构 及其 主动 元件 与其 积体化 反转 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮极性氮化镓铝/氮化镓磊晶结构，其特征在于，其包含有:一基底；一氮化镓高阻值层(碳掺杂)，其位于该基底上；一氮化镓铝(y)层，其位于该氮化镓高阻值层上；一氮化镓通道层，其位于该氮化镓铝(y)层上；一氮化镓铝(y)层，其位于该氮化镓通道层上；一氟离子结构，其位于该氮化镓铝(x)层内；以及一第一栅极绝缘介电层，其位于该氟离子结构上；其中，该x＝0.1‑0.3，该y＝0.05‑0.75。
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