[发明专利]基于氧化镓/镓酸锌异质结纳米阵列的柔性气敏传感器及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201810535389.8 申请日: 2018-05-30
公开(公告)号: CN108982600B 公开(公告)日: 2021-07-09
发明(设计)人: 杨丽娜 申请(专利权)人: 杨丽娜
主分类号: G01N27/12 分类号: G01N27/12
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 322207 浙江省金华*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明涉及一种基于氧化镓/镓酸锌异质结纳米阵列的柔性气敏传感器及其制备方法,包括Ti/Au电极,柔性玻璃纤维布衬底,位于柔性玻璃纤维布衬底上的ZnGa2O4薄膜,位于ZnGa2O4薄膜上的β‑Ga2O3纳米柱阵列;所述Ti/Au电极为两个,分别位于ZnGa2O4薄膜上方和位于β‑Ga2O3纳米柱阵列上方;所述ZnGa2O4薄膜与β‑Ga2O3纳米柱阵列之间构成氧化镓/镓酸锌异质结纳米阵列。本发明的传感器是MSSM型Ti/Au/β‑Ga2O3/ZnGa2O4/Ti/Au结构的异质结柔性气敏传感器,具有三维空间异质结界面结构,气敏特性稳定,柔性可弯曲,工作温度和功耗低,可用于柔性可穿戴乙醇气体检测,在工业酒精生产监测和酒驾检测等领域具有很大的应用前景。
搜索关键词: 基于 氧化 镓酸锌异质结 纳米 阵列 柔性 传感器 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种基于氧化镓/镓酸锌异质结纳米阵列的柔性气敏传感器,其特征在于,包括Ti/Au电极,柔性玻璃纤维布衬底,位于柔性玻璃纤维布衬底上的ZnGa2O4薄膜,位于ZnGa2O4薄膜上的β‑Ga2O3纳米柱阵列;所述Ti/Au电极为两个,分别位于ZnGa2O4薄膜上方和位于β‑Ga2O3纳米柱阵列上方;所述ZnGa2O4薄膜与β‑Ga2O3纳米柱阵列之间构成氧化镓/镓酸锌异质结纳米阵列。
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