[发明专利]高温衬底基座模块及其组件

摘要

本发明涉及高温衬底基座模块及其组件。一种半导体衬底处理装置包括：具有处理区域的真空室，在所述处理区域中能处理半导体衬底；工艺气体源，其与所述真空室流体连通，以供给工艺气体到所述真空室中；喷头模块，来自所述工艺气体源的工艺气体通过该喷头模块供给到所述真空室的所述处理区域；以及衬底基座模块。衬底基座模块包括：由陶瓷材料制成的基座，所述基座具有上表面，所述上表面被配置成在处理期间支撑在其上的半导体衬底；杆，其由陶瓷材料制成；和位于所述杆的内部的由金属化陶瓷材料制成的背部气体管路。金属化陶瓷管路可用于将背部气体输送至衬底并将RF功率供应至基座中的嵌入式电极。

主权项

1.一种用于处理半导体衬底的半导体衬底处理装置，其包括：包括处理区域的真空室，在所述处理区域中能处理半导体衬底；工艺气体源，其与所述真空室流体连通，以供给工艺气体到所述真空室中；喷头模块，来自所述工艺气体源的工艺气体通过该喷头模块供给到所述真空室的所述处理区域；以及衬底基座模块，其包括：由陶瓷材料制成的台板，所述台板具有上表面，所述上表面被配置成在处理期间支撑在其上的半导体衬底；杆，其由陶瓷材料制成，所述杆具有支撑所述台板的上部杆凸缘；和位于所述杆的内部的由金属化陶瓷材料制成的背部气体管路，所述背部气体管路被配置成向所述台板的所述上表面供应背部气体并向嵌入所述台板中的电极供应功率。