[发明专利]一种TiON薄膜压力传感器及其制备方法在审
| 申请号： | 201810538101.2 | 申请日： | 2018-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN108801515A | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 何峰;周国方;谢锋;蓝镇立;何迎辉;金忠 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 |
| 主分类号： | G01L1/22 | 分类号： | G01L1/22 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人： | 周长清;何文红 |
| 地址： | 410111 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种TiON薄膜压力传感器及其制备方法，该TiON薄膜压力传感器包括基底，所述基底上沉积有过渡层，所述过渡层上沉积有绝缘层，所述绝缘层上沉积有应变薄膜层，所述应变薄膜层上沉积有电极层和保护层；所述应变薄膜层为TiON薄膜。其制备方法包括：在基底上沉积过渡层；在过渡层上沉积绝缘层；采用PECVD法缘层上沉积TiON薄膜；在TiON薄膜上沉积电极层；在TiON薄膜上沉积保护层；整体热处理；将电极层与引线组件相连，制备完成。本发明传感器具有灵敏度高、测量精度高、安全性高、可靠性好、耐高温、适合大量程压力测量等优点，其制备方法具有制备工艺简单、生产成本低、生产周期短等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 沉积 制备 过渡层 绝缘层 薄膜压力传感器 薄膜 应变薄膜层 基底 保护层 电极层 生产周期 测量精度高 发明传感器 生产成本低 整体热处理 沉积电极 压力测量 引线组件 制备工艺 大量程 灵敏度 耐高温 | ||
【主权项】：
1.一种TiON薄膜压力传感器，其特征在于，所述TiON薄膜压力传感器包括基底（1），所述基底（1）上沉积有过渡层（2），所述过渡层（2）上沉积有绝缘层（3），所述绝缘层（3）上沉积有应变薄膜层（4），所述应变薄膜层（4）上沉积有电极层（5）和保护层（6）；所述应变薄膜层（4）为TiON薄膜。
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