[发明专利]等离子体处理方法

摘要

本发明提供一种等离子体处理方法，使用一个等离子体处理装置，执行供给至基座的高频功率和所要求的基片的面内温度分布不同的多个步骤。一个实施方式的等离子体处理方法包括：在腔室内对基片实施第1等离子体处理的步骤；和在腔室内对基片实施第2等离子体处理的步骤。在实施第1等离子体处理的步骤中，驱动静电吸盘的吸盘主体内的多个第1加热器，驱动该吸盘主体内的多个第2加热器。在实施第2等离子体处理的步骤中，至少使多个第2加热器的驱动停止。

主权项

1.一种使用等离子体处理装置执行的等离子体处理方法，其特征在于：所述等离子体处理装置包括：提供腔室的腔室主体；在所述腔室内支承基片的载置台；和高频电源，所述载置台包括：供电部，其提供传输来自所述高频电源的高频的传输路径；和具有基座和吸盘主体的静电吸盘，其中，所述基座具有导电性，设置在所述供电部上，与所述供电部电连接，所述吸盘主体设置在所述基座上，利用静电引力保持基片，所述吸盘主体包括：设置在该吸盘主体内的多个第1加热器，该多个第1加热器在与该吸盘主体的中心轴线正交的该吸盘主体内的面上分布；和设置在该吸盘主体内的多个第2加热器，该多个第2加热器的个数比所述多个第1加热器的个数多，所述多个第2加热器在与所述中心轴线正交的该吸盘主体内的另一面上分布，所述等离子体处理装置还包括：第1加热器控制器，其利用来自第1电源的交流或直流的输出对所述多个第1加热器进行驱动；和第2加热器控制器，其利用来自第2电源的交流或直流的输出对所述多个第2加热器进行驱动，所述第2电源具有比来自所述第1电源的所述输出的功率低的功率，所述等离子体处理方法在所述基片载置在所述吸盘主体上的状态下执行，包括：在所述腔室内对所述基片实施第1等离子体处理的步骤；和在所述腔室内对所述基片实施第2等离子体处理的步骤，在所述实施第2等离子体处理的步骤中从所述高频电源供给至所述基座的高频的功率，比在所述实施第1等离子体处理的步骤中从所述高频电源供给至所述基座的高频的功率大，在所述实施第1等离子体处理的步骤中，利用来自所述第1加热器控制器的多个第1输出来驱动所述多个第1加热器，利用来自所述第2加热器控制器的多个第2输出来驱动所述多个第2加热器，在所述实施第2等离子体处理的步骤中，至少使所述多个第2加热器的驱动停止，将所述第2电源与所述第2加热器控制器之间的连接切断。