[发明专利]高性能量子点中间带石墨烯肖特基结太阳电池及制备有效
申请号: | 201810541126.8 | 申请日: | 2018-05-30 |
公开(公告)号: | CN108565343B | 公开(公告)日: | 2020-04-07 |
发明(设计)人: | 张曙光;李国强;温雷;徐珍珠;高芳亮 | 申请(专利权)人: | 华南理工大学 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/46 |
代理公司: | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人: | 陈智英 |
地址: | 510640 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明属于太阳能电池的技术领域,公开了高性能量子点中间带石墨烯肖特基结太阳电池及制备。所述石墨烯肖特基结太阳电池从下到上依次包括底电极、GaAs衬底、表面重构的GaAs层、GaAs缓冲层、量子点中间带、石墨烯层、顶电极;所述量子点中间带由GaAs盖层和InAs量子点层交替叠加而成,GaAs缓冲层上为InAs量子点层,GaAs盖层和InAs量子点层的层数相同。本发明在石墨烯肖特基结太阳电池中引入量子点中间带,有效拓宽了电池对太阳光谱的吸收范围,显著增大了光生电流,实现了太阳能电池高的光电转换效率。 | ||
搜索关键词: | 性能 量子 中间 石墨 烯肖特基结 太阳电池 制备 | ||
【主权项】:
1.一种包含量子点中间带的石墨烯肖特基结太阳电池,其特征在于:从下到上依次包括底电极、GaAs衬底、表面重构的GaAs层、GaAs缓冲层、量子点中间带、石墨烯层、顶电极;所述量子点中间带由GaAs盖层和InAs量子点层交替叠加而成,GaAs缓冲层上为InAs量子点层,GaAs盖层和InAs量子点层的层数相同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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