[发明专利]一种应力可调的垂直结构LED芯片及其制备方法有效
| 申请号： | 201810541418.1 | 申请日： | 2018-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN108767083B | 公开（公告）日： | 2021-01-26 |
| 发明（设计）人： | 李国强 | 申请（专利权）人： | 河源市众拓光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/46 | 分类号： | H01L33/46;H01L33/36;H01L33/32;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人： | 曾嘉仪;徐朝荣 |
| 地址： | 517000 广东省河*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种应力可调的垂直结构LED芯片，从下至上依次包括TiW基背金层、Si衬底、键合层、第一TiW基反射镜保护层、Ag基反射镜层、LED外延片和Ti/Al/W/Au的n电极层；LED外延片包括生长在Si衬底上的n型掺杂GaN层，生长在n型掺杂GaN层上的InGaN/GaN量子阱层，生长在InGaN/GaN量子阱层上的p型掺杂GaN层。本发明还提供一种应力可调的垂直结构LED芯片的制备方法。本发明的垂直结构LED芯片采用溅射TiW基金属作为保护层，通过调节TiW基金属的应力来调节LED外延片的生长应力、生长衬底剥离时释放的应力，以及减薄转移衬底时释放的应力，降低或避免后续的不良影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 应力 可调 垂直 结构 led 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种应力可调的垂直结构LED芯片，其特征在于，从下至上依次包括TiW基背金层、Si衬底、键合层、第一TiW基反射镜保护层、Ag基反射镜层、LED外延片和Ti/Al/W/Au的n电极层；LED外延片包括生长在Si衬底上的n型掺杂GaN层，生长在n型掺杂GaN层上的InGaN/GaN量子阱层，生长在InGaN/GaN量子阱层上的p型掺杂GaN层；所述Si衬底以(111)面为外延面；所述n型掺杂GaN层的厚度为1～5μm，掺杂浓度为(1～10)×1018cm‑3；所述InGaN/GaN量子阱层为1～18个周期的InGaN阱层/GaN垒层，其中InGaN阱层的厚度为1～10nm，GaN垒层的厚度为1～18nm；所述p型掺杂GaN层的厚度为100～600nm，掺杂浓度为(3～9)×1017cm‑3。
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