[发明专利]半导体装置及其制作方法有效
| 申请号： | 201810541805.5 | 申请日： | 2018-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN109326579B | 公开（公告）日： | 2022-05-17 |
| 发明（设计）人： | 郭富强;刘陶承;郭仕奇;李宗宪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一半导体装置包括：设置在基材上的至少一导电特征；覆盖基材的至少一介电层，延伸通过至少一介电层的一沟槽结构；及覆盖沟槽结构的一保护层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，包含：至少一导电特征，其设置在一基材上；至少一介电层，其覆盖所述基材，一沟槽结构，其延伸通过所述至少一介电层；及一保护层，其覆盖所述沟槽结构。
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