[发明专利]一种测量一轴晶矿物双折射率的装置及方法有效
| 申请号： | 201810542248.9 | 申请日： | 2018-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN110554003B | 公开（公告）日： | 2022-07-15 |
| 发明（设计）人： | 余晓露;陈强路;王强;马中良;蒋宏 | 申请（专利权）人： | 中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司石油勘探开发研究院 |
| 主分类号： | G01N21/41 | 分类号： | G01N21/41;G01N21/45 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;何娇 |
| 地址： | 100728 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种测量一轴晶矿物双折射率的装置和方法，其中，所述装置包括偏光单元和干涉单元，其中，所述偏光单元包括：偏光显微镜和设置于所述偏光显微镜的放置一轴晶矿物薄片的载物台下方的起偏器，所述干涉单元包括：设置于所述偏光显微镜上方的分束器、设置于所述分束器一侧的激光器、设置于所述分束器另一侧的反射镜、设置于分束器上方的线阵CCD图像传感器、与所述线阵CCD图像传感器相电接的装载有干涉条纹技术软件的计算机以及设置于所述起偏器下方且能在上下方向上移动的平面反射镜。本发明的装置测量精度较高，在偏光显微镜下直接测得岩石薄片中一轴晶矿物的双折射率，可提高疑难矿物和少见矿物的鉴定效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 测量 一轴晶 矿物 双折射 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种测量一轴晶矿物双折射率的装置，其特征在于，所述装置包括偏光单元和干涉单元，其中，/n所述偏光单元包括：偏光显微镜和设置于所述偏光显微镜的放置一轴晶矿物薄片的载物台下方的起偏器，/n所述干涉单元包括：设置于所述偏光显微镜上方的分束器、设置于所述分束器一侧的激光器、设置于所述分束器另一侧的反射镜、设置于分束器上方的线阵CCD图像传感器、与所述线阵CCD图像传感器相电接的装载有干涉条纹技术软件的计算机以及设置于所述起偏器下方且能在上下方向上移动的平面反射镜。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司石油勘探开发研究院，未经中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司石油勘探开发研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810542248.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
