[发明专利]一种发光二极管外延片及其制造方法有效
| 申请号： | 201810547184.1 | 申请日： | 2018-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN108987544B | 公开（公告）日： | 2020-04-14 |
| 发明（设计）人： | 胡任浩;丁杰;周飚;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管外延片包括衬底、N型半导体层、第二载流子阻挡层、有源层、第一载流子阻挡层和P型半导体层，N型半导体层、第二载流子阻挡层、有源层、第一载流子阻挡层和P型半导体层依次层叠在衬底上，第一载流子阻挡层的材料采用P型掺杂的氮化铝镓；第二载流子阻挡层的材料采用N型掺杂的氮化铝镓；第二载流子阻挡层中铝的掺杂浓度沿所述发光二极管外延片的层叠方向逐渐增大，第一载流子阻挡层中铝的掺杂浓度沿所述发光二极管外延片的层叠方向逐渐减小。本发明尽可能使有源层中的载流子数量达到最大，促进载流子的辐射复合发光，提高LED的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华灿光电（浙江）有限公司，未经华灿光电（浙江）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810547184.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种图像数据处理方法及装置
- 下一篇：基于多孔蜂窝板结构的宽带双向辐射天线
