[发明专利]控制PSFB变换器的方法及PSFB变换器有效
申请号: | 201810547340.4 | 申请日: | 2018-05-31 |
公开(公告)号: | CN110557022B | 公开(公告)日: | 2021-05-14 |
发明(设计)人: | 俞居正 | 申请(专利权)人: | 华为技术有限公司 |
主分类号: | H02M3/158 | 分类号: | H02M3/158 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 肖庆武 |
地址: | 518129 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 公开了一种控制PSFB变换器的方法、装置及存储介质,属于电源技术领域。所述方法包括:控制电路在控制第一时钟和第二时钟在第一状态下工作一段时间之后,控制第一时钟和第二时钟切换至第二状态下工作。其中,第一时钟和第二时钟在第一状态下工作时第一桥臂为超前桥臂、第二桥臂为滞后桥臂,在第二状态下工作时第一桥臂为滞后桥臂、第二桥臂为超前桥臂。因此,通过本申请,可以使第一桥臂在一段时间内为超前桥臂,在另一段时间内为滞后桥臂,同样使第二桥臂在一段时间内为滞后桥臂,在另一端时间内为超前桥臂,从而使第一桥臂的关断损耗和第二桥臂的关断损耗趋于一致,以此提高PSFB变换器的可靠性。 | ||
搜索关键词: | 控制 psfb 变换器 方法 | ||
【主权项】:
1.一种控制移相全桥PSFB变换器的方法,其特征在于,所述方法包括:/n控制电路控制第一时钟和第二时钟在第一状态下工作,并控制计时器开始计时;/n其中,所述PSFB变换器包括第一桥臂和第二桥臂,所述第一桥臂包括第一金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET和第二MOSFET,所述第二桥臂包括第三MOSFET和第四MOSFET,所述控制电路输出的基于所述第一时钟的第一驱动信号被输入至所述第一MOSFET的栅极,所述控制电路输出的基于所述第一时钟的第二驱动信号被输入至所述第二MOSFET的栅极,所述控制电路输出的基于所述第二时钟的第三驱动信号被输入至所述第三MOSFET的栅极,所述控制电路输出的基于所述第二时钟的第四驱动信号被输入至所述第四MOSFET的栅极,所述第一驱动信号、所述第二驱动信号、所述第三驱动信号和所述第四驱动信号均为周期性信号,所述第一驱动信号、所述第二驱动信号、所述第三驱动信号和所述第四驱动信号的频率相同且为驱动频率,所述第一驱动信号与所述第二驱动信号之间互补,所述第三驱动信号与所述第四驱动信号之间互补,且所述第一时钟和所述第二时钟在所述第一状态下工作时所述第一桥臂为超前桥臂、所述第二桥臂为滞后桥臂;/n在所述计时器的计时时长到达第一阈值时,所述控制电路控制所述第一时钟和所述第二时钟切换至第二状态下工作,所述第一时钟和所述第二时钟在所述第二状态下工作时所述第一桥臂为滞后桥臂、所述第二桥臂为超前桥臂。/n
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