[发明专利]一种改性的半导电复合材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201810547838.0 | 申请日： | 2018-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN108609659A | 公开（公告）日： | 2018-10-02 |
| 发明（设计）人： | 郝春成;魏艳慧;李国倡;雷清泉;尹红霞;刘关宇 | 申请（专利权）人： | 青岛科技大学 |
| 主分类号： | C01G45/12 | 分类号： | C01G45/12;C01G51/00;C01G45/00 |
| 代理公司： | 青岛清泰联信知识产权代理有限公司 37256 | 代理人： | 张媛媛 |
| 地址： | 266042 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种改性的半导电复合材料及其制备方法，属于电工材料领域。本申请的改性的半导电复合材料，其中含有具有阳离子空穴的改性的快离子导体。本申请的改性的半导电复合材料的制备方法，其包括，将具有阳离子空穴的改性的快离子导体添加至半导电复合材料中制备得到改性的半导电复合材料；主要用于高压电缆，实现降低半导电复合材料中电荷发射的作用。 | ||
| 搜索关键词： | 复合材料 半导电 改性 制备 快离子导体 阳离子空穴 申请 电工材料 电荷发射 高压电缆 | ||
【主权项】：
1.一种改性的半导电复合材料，其特征在于，其中含有具有阳离子空穴的改性的快离子导体。
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