[发明专利]一种单晶硅片制绒方法有效
申请号: | 201810547967.X | 申请日: | 2018-05-31 |
公开(公告)号: | CN108565316B | 公开(公告)日: | 2020-05-05 |
发明(设计)人: | 刘俊稳;赵福祥;金起弘 | 申请(专利权)人: | 韩华新能源(启东)有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 孙仿卫 |
地址: | 226200 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种单晶硅片制绒方法,依次包括以下步骤:在粗抛槽中去除损伤层及硅片表面脏污;在预清洗槽中预清洗;在第一漂洗槽中第一次漂洗;在制绒槽中制绒;在第二漂洗槽中第二次漂洗;在碱洗槽中碱洗;在第三漂洗槽中第三次漂洗;在酸洗槽中酸洗;在第四漂洗槽中第四次漂洗;在慢提拉槽中预脱水;在烘干槽中烘干;第一漂洗槽和慢提拉槽中均添加常温水,且慢提拉槽中的常温水通过泵输送至第一漂洗槽中。本发明一种单晶硅片制绒方法,改变慢提拉和第一漂洗的水温,将现有技术中的热水改进为常温冷水,并将慢提拉槽中的水持续地泵入第一漂洗槽,使得使用快速制绒添加剂制绒后硅片外观得到改善,同时节省了成本,提高了产能。 | ||
搜索关键词: | 一种 单晶硅 片制绒 方法 | ||
【主权项】:
1.一种单晶硅片制绒方法,其特征在于:依次包括以下步骤:在粗抛槽中去除损伤层及硅片表面脏污;在预清洗槽中进行预清洗;在第一漂洗槽中进行第一次漂洗;在制绒槽中进行制绒;在第二漂洗槽中进行第二次漂洗;在碱洗槽中进行碱洗;在第三漂洗槽中进行第三次漂洗;在酸洗槽中进行酸洗;在第四漂洗槽中进行第四次漂洗;在慢提拉槽中进行预脱水;在烘干槽中进行烘干;所述的第一漂洗槽和慢提拉槽中均添加常温水,且慢提拉槽中的常温水通过泵输送至所述的第一漂洗槽中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的