[发明专利]单晶SiC的离子注入表面改性与纳米尺度抛光方法有效
| 申请号： | 201810548120.3 | 申请日： | 2018-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN108723897B | 公开（公告）日： | 2020-12-18 |
| 发明（设计）人： | 李淑娟;梁列;赵智渊;袁启龙;李言;蒋百铃 | 申请（专利权）人： | 西安理工大学 |
| 主分类号： | B24B1/00 | 分类号： | B24B1/00 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人： | 张倩 |
| 地址： | 710048*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种单晶SiC的离子注入表面改性与纳米尺度抛光方法，具体按照以下步骤进行：步骤1，对研磨后要进行抛光的晶片表面进行粗糙度测量，根据研磨后晶片表面粗糙度度决定离子注入深度；步骤2，确定操作所选用的离子注入机以后，选用Al离子进行注入，根据步骤1测量的晶片表面粗糙度和离子注入深度和离子注入能量值的比例关系，选择晶片表面粗糙度对应的离子注入能量值进行注入分次注入，使离子在注入深度上纵向都有较为均匀的分布；步骤3，将离子注入完成的晶片置于抛光机中，去除晶片离子注入的表面层，即成。本发明能主动改变脆性材料表面层的物理机械性能，降低材料的硬度和脆性，从而采用非常小的机械作用力去除。 | ||
| 搜索关键词： | sic 离子 注入 表面 改性 纳米 尺度 抛光 方法 | ||
【主权项】：
1.单晶SiC的离子注入表面改性与纳米尺度抛光方法，其特征在于，具体按照以下步骤进行：步骤1，对研磨后要进行抛光的晶片表面进行粗糙度测量，根据研磨后晶片表面粗糙度度决定离子注入深度；步骤2，离子注入SiC晶片表面，确定操作所选用的离子注入机以后，选用Al离子进行注入，根据步骤1测量的晶片表面粗糙度和离子注入深度和离子注入能量值的比例关系，选择晶片表面粗糙度对应的离子注入能量值后分次进行注入，使离子在注入深度上纵向都有较为均匀的分布；步骤3，机械去除晶片表面，将离子注入完成的晶片置于抛光机中，转动过程中，SiC表面与金刚石磨料相对运动，机械抛光去除晶片离子注入的表面层，即成。
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