[发明专利]一种发光二极管外延片的制作方法及其发光二极管外延片有效
| 申请号： | 201810550077.4 | 申请日： | 2018-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN108987540B | 公开（公告）日： | 2021-01-12 |
| 发明（设计）人： | 葛永晖;郭炳磊;刘旺平;吕蒙普;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/12;H01L33/14;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管外延片的制作方法及其发光二极管外延片，属于半导体技术领域。制作方法包括：采用化学气相沉积技术在衬底上依次生长缓冲层、N型半导体层和应力释放层；对所述应力释放层的表面进行离子辐照，降低所述应力释放层的电阻率；采用化学气相沉积技术在所述应力释放层上依次生长有源层和P型半导体层。本发明通过对应力释放层的表面进行离子辐照，改变应力释放层晶体的微观结构，影响应力释放层内缺陷的形态和数量，降低应力释放层的电阻率，有利于N型半导体层提供的电子迁移到有源层中进行复合发光，提高注入有源层的电子数量，进而提高LED的内量子效率提高，从而提高LED的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 制作方法 及其 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管外延片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：采用化学气相沉积技术在衬底上依次生长缓冲层、N型半导体层和应力释放层；对所述应力释放层的表面进行离子辐照，降低所述应力释放层的电阻率；采用化学气相沉积技术在所述应力释放层上依次生长有源层和P型半导体层。
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