[发明专利]基于石墨烯衬底的LED外延结构及生长方法和LED有效
| 申请号： | 201810552223.7 | 申请日： | 2018-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN108767079B | 公开（公告）日： | 2020-05-22 |
| 发明（设计）人： | 田宇;颜慧;韩效亚;杜石磊 | 申请（专利权）人： | 扬州乾照光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/32;H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 225101 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于石墨烯衬底的LED外延结构及生长方法和LED，石墨烯衬底包括基底和位于基底一侧表面的石墨烯层，生长于石墨烯衬底上的缓冲层，缓冲层包括生长于石墨烯层背离基底一侧表面的缓冲子层，缓冲子层为AlN缓冲子层、GaN缓冲子层、InGaN缓冲子层或AlGaInN缓冲子层；依次叠加生长于缓冲层上的N型GaN层、有源层和P型GaN层。本发明提供的技术方案，在石墨烯衬底上生长LED外延结构的缓冲层，降低LED外延结构和石墨烯衬底之间的晶格失配，及降低石墨烯衬底和LED外延结构之间的应力，进而能够制备高晶体质量的LED外延结构，进而有效降低极化电场，降低能带的弯曲，增加电子与空穴的复合效率。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 石墨 衬底 led 外延 结构 生长 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于石墨烯衬底的LED外延结构，所述石墨烯衬底包括基底和位于所述基底一侧表面的石墨烯层，其特征在于，所述LED外延结构包括：生长于所述石墨烯衬底上的缓冲层，其中，所述缓冲层包括生长于所述石墨烯层背离所述基底一侧表面的缓冲子层，所述缓冲子层为AlN缓冲子层、GaN缓冲子层、InGaN缓冲子层或AlGaInN缓冲子层；以及，依次叠加生长于所述缓冲层上的N型GaN层、有源层和P型GaN层。
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