[发明专利]半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201810552229.4 | 申请日： | 2018-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN108766953B | 公开（公告）日： | 2021-01-01 |
| 发明（设计）人： | 张东亮;金子貴昭;黄晓橹 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L23/64;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 武振华;吴敏 |
| 地址： | 223302 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其形成方法，所述半导体器件包括：器件晶圆，所述器件晶圆的正面具有金属互连结构；多个衬垫，与所述金属互连结构电连接；像素晶圆，所述像素晶圆的表面与所述器件晶圆的正面键合；多个导电插塞，贯穿所述像素晶圆，且所述多个导电插塞中的一部分与所述衬垫连接，所述多个导电插塞中的另一部分与所述衬垫之间通过电介质隔开。本发明方案可以在降低开关噪声的同时，复用导电插塞以及衬垫作为MIM电容结构中的两层金属，有助于提高空间利用率，降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：器件晶圆，所述器件晶圆的正面具有金属互连结构；多个衬垫，与所述金属互连结构电连接；像素晶圆，所述像素晶圆的表面与所述器件晶圆的正面键合；多个导电插塞，贯穿所述像素晶圆，且所述多个导电插塞中的一部分与所述衬垫连接，所述多个导电插塞中的另一部分与所述衬垫之间通过电介质隔开。
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