[发明专利]封闭结构、其制作方法与器件有效

专利信息
申请号: 201810553113.2 申请日: 2018-05-31
公开(公告)号: CN108609574B 公开(公告)日: 2019-12-31
发明(设计)人: 焦斌斌;孔延梅;云世昌;叶雨欣;陈大鹏 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: B81B7/00 分类号: B81B7/00;B81C1/00
代理公司: 11240 北京康信知识产权代理有限责任公司 代理人: 韩建伟;霍文娟
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 本申请提供了一种封闭结构、其制作方法与器件。该制作方法包括:形成预封闭结构,预封闭结构包括第一基底和第二基底,第一基底具有第一待封装部和介质填充槽,第二基底具有第二待封装部,介质填充槽的槽壁与第二基底在第一方向上具有第一间隔,第一待封装部的侧壁与第二待封装部的侧壁在第一方向上具有第二间隔,第一待封装部与第二待封装部之间形成容纳空间,预封闭结构还包括至少两个金属部,金属部的至少部分位于容纳空间内;加热预封闭结构,使得至少两个金属部中的至少两种金属发生共晶反应,形成共晶部,共晶部将第二间隔封闭,形成封闭结构,共晶部的熔点高于发生共晶反应的任一种金属的熔点。该制作形成的封闭结构的可靠性较高。
搜索关键词: 封闭结构 封装部 基底 金属部 共晶 熔点 共晶反应 介质填充 容纳空间 制作 侧壁 金属 槽壁 加热 封闭 申请
【主权项】:
1.一种封闭结构的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括:/n形成预封闭结构,所述预封闭结构包括第一基底和位于所述第一基底表面上的第二基底,所述第一基底具有第一待封装部和介质填充槽,所述第二基底具有第二待封装部,所述第一待封装部和所述第二待封装部独立地选自通孔或凹槽,所述介质填充槽的槽壁与所述第二基底在第一方向上具有第一间隔,所述第一待封装部的侧壁与所述第二待封装部的侧壁在所述第一方向上具有第二间隔,所述第一待封装部与所述第二待封装部之间形成容纳空间,所述预封闭结构还包括至少两个金属部,各所述金属部的至少部分位于所述容纳空间内,其中,所述第一方向为所述第一基底以及所述第二基底的厚度方向;以及/n加热所述预封闭结构,使得至少两个所述金属部中的至少两种金属发生共晶反应,形成共晶部,所述共晶部将所述第二间隔封闭,从而形成封闭结构,所述共晶部的熔点高于发生所述共晶反应的任意一种金属的熔点。/n
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